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三菱IPM功率模块

IPM由于包含了IGBT芯片及外围的驱动和保护电路,因此是一种更方便的集成型功率器件。

优点:采用全栅型 CSTBTTM硅片实现低损耗
          IGBT硅片正中央处集成温度传感器,过温保护更精确(145℃)
         新的结线技术使功率循环能力得到显著提高
         完全无铅焊接(对应RoHS指令)

 

 

 

三菱IGBT功率模块

IGBT由于他的简单易用,性能稳定以及日趋走低的价格已被越来越多的用户应用在更广泛的场合。

优点:采用CSTBTTM硅片技术
         
饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小
         
比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%,在相   同输出电流时ΔT(j-f)15%成本优化的封装
         
内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层,热阻小模块内部寄生电感小功率循环能力显著改善

  

 

通用IPM&IGBT 辅助电源

JS159是专为设计逆变装置而又使用IPMIGBT的嵌入式系统级反激式开关电源。具有独立8路输出,输出电流强劲,输入电压范围宽,保护全等优点,适合于所有逆变驱动器的电源。

JS159-15适用于使用IPM功率模块的电源驱动,高频变压器为黄色围边;

 JS159-24适用于IGBT功率模块的电源驱动,高频变压器为蓝色围边;

 

DR系列 平台式功率驱动器

功率驱动部分,往往占用工程师很多的时间。为了让工程师们集中更多的时间精力去研究数据算法等工作,我们公司数年前就推出了平台式功率驱动器。它集IPM,开关电源,高速光耦,保护电路,吸收电路,外围接口,散热器于一体,采用国际标准工艺定制而成的全功能驱动器。用户只需开发软件控制部分(控制板),输出PWM信号给该驱动器即可拥有高可靠性,多功能 逆变产品.纺织机械,食品机械,注塑机,风机,变频电源,交直流伺服,无刷电机驱动器等 逆变产品的理想开发平台。

 

 

性能特点:
  •  5V大电流反馈稳压

  •  1500V高压NMOS大功率管作为推动源,进口EACO吸收电容,杜绝因母线波动导致系统死机。

  •  超宽额定直流电压耐压能力170V-700V

  •  “VDC dectect”功能,实时监控直流母线电压,内置分压电路直接进入A/D采样口,线性比例为1981

  •  适合几乎所有IPMIGBT使用,耐压范围宽,保护全,输出电流强劲等优势。

  •  提供9组输出电压。输入输出有严格的绝缘隔离。用户只需直接从直流母线上取输入电压即可, 使用方便。

  •  可供电给系统的:CPUIPM,光耦,继电器,运放,霍尔电流(电压)传感器,显示器,散热风机,光编码器。

  •  应用范围:伺服控制,变频控制,逆变电源等装置。

  • PCB背面绝缘工艺防止短路,触电。  

  •  5V为自恢复过载保护。其余所有输出有短路保护功能,允许用户直接短路测试。

  •  5V,±15V选用高分子聚合物的高频,低ESR固态电容。

JS159-15适用于IPM电源驱动,高频变压器为黄色围边;                                                                                                                        

JS159-24适用于IGBT电源驱动,高频变压器为蓝色围边;

                                                                                               

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